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              新聞詳情

              分子束外延原理介紹說(shuō)明

              日期:2025-07-01 22:53
              瀏覽次數(shù):719
              摘要:
               分子束外延原理概述
                分子束外延(MBE)是新發(fā)展起來(lái)的外延制膜方法,也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術(shù),它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長(zhǎng)薄膜的方法。該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是:使用的襯底溫度低,膜層生長(zhǎng)速率慢,束流強(qiáng)度易于**控制,膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。用這種技術(shù)已能制備薄到幾十個(gè)原子層的單晶薄膜,以及交替生長(zhǎng)不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結(jié)構(gòu)材料。
              原理
                分子束外延的英文縮寫為MBE,這是一種在晶體基片上生長(zhǎng)高質(zhì)量的晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下,由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣,經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束,直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上,同時(shí)控制分子束對(duì)襯底掃描,就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長(zhǎng)”在基片上形成薄膜。

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