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分子束外延原理概述
日期：2025-07-02 08:19
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摘要：
分子束外延原理概述
分子束外延（MBE）是新發展起來的外延制膜方法，也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術的優點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于**控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結構材料。
分子束外延（MBE）是新發展起來的外延制膜方法，也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術的優點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于**控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結構材料。
原理
分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。
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